国产内存、闪存芯片不再是备胎：两巨头扩产 技术差距不到1年

12月19日最新消息显示，过去三个月内，内存与闪存两类存储芯片价格大幅上扬，缺货程度与涨价力度堪称近30余年最剧烈。

这一轮行情不仅助推三星、SK海力士、美光等国际巨头业绩飙升、利润井喷，更关键的是——中国厂商此次并未缺席。长江存储与长鑫存储两家龙头企业，其NAND闪存与DRAM内存产品已真正跻身主流供应阵营，影响力不容低估。

此前有传闻称，长江存储发布调价通知，拟将闪存晶圆价格上调40%，模组产品涨幅达100%。尽管该消息尚未获官方确认，但据一线供应链人士透露：12月闪存晶圆实际成交价较11月上涨超10%，SSD终端成品价格涨幅则在15%至20%之间。

相较国际大厂动辄30%以上的合约价调涨幅度，长江存储的涨价节奏更为稳健，但也清晰释放出信号：其定价逻辑正从“以价换量”转向“控量稳价”，不再单纯依赖低价策略抢占份额，而是强化品牌定位与盈利质量。

值得注意的是，其价格调整并非孤立动作。供应链信息指出，该公司今年已多次对不同规格产品实施阶梯式提价，部分中高端型号报价已逼近甚至持平三星等一线原厂水平。

产能方面，长江存储当前NAND闪存月产能已达16万片晶圆，而长鑫存储DRAM月产能更高达28万片晶圆，并计划于2026年进一步提升至30万片/月。

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伴随产能持续爬坡与价格策略升级，国产存储芯片已彻底摆脱“备选方案”角色。目前，多家台系笔记本代工厂及整机品牌正积极导入国产芯片进行兼容性测试与可靠性验证。其中，华硕（ASUS）与宏碁（Acer）两大头部品牌已正式进入评估阶段，旨在增强供应链韧性、降低地缘政治风险。

技术进展同样亮眼：长江存储已量产堆叠层数突破300层的3D NAND产品；长鑫存储于11月底正式发布频率高达8000MHz的DDR5内存芯片，LPDDR5速率亦达10677MHz，均属全球之一梯队性能水准。业内普遍认为，其与三星、SK海力士等顶尖厂商的技术代差已压缩至一年以内。

当前主要制约仍在于部分高端制程设备受限，影响产能扩张速度与良率爬升节奏。但随着国产化设备替代进程加速、材料与工艺链协同突破，自主可控能力正快速夯实。一旦完全摆脱外部禁令约束，国产存储厂商有望在未来两到三年内实现从“并跑”到“领跑”的关键跃迁——虽短期内超越三星尚不现实，但“坐三望二”的格局正在加速成型。