随着ai眼镜、智能手表等可穿戴设备持续朝着更轻薄、更长续航以及更丰富的多模态ai应用场景演进,存储芯片正面临尺寸更紧凑、功耗更精简、性能更强劲的全方位升级压力。佰维epop5x凭借极致微型化设计、卓越能效比与出色稳定性,为移动智能终端提供“小体积、强性能”的嵌入式存储新范式,助力轻巧设备亦能承载高强度ai运算需求!

佰维深耕智能穿戴领域存储技术多年,依托自主研发的多层超薄堆叠封装工艺及软硬件协同优化能力,在产品小型化、性能表现与长期可靠性之间实现系统级协同突破。目前,佰维ePOP系列已批量导入多家全球一线品牌旗舰级可穿戴设备。此次全新发布的ePOP5x再度刷新性能与体积极限:相较上一代,整机功耗下降约25%,封装厚度缩减达32%,数据吞吐能力翻倍提升,全面适配移动智能终端对高速读写与低功耗运行的双重严苛要求。

佰维ePOP5x核心优势一览
1、严格遵循JEDEC规范,高度集成eMMC与LPDDR5X内存,焊球间距仅为0.35mm,整体封装尺寸压缩至8.0×9.5×0.54mm,支持直接贴装于主控SoC之上,显著简化PCB布局,为AI眼镜、智能手表等空间受限设备提供理想存储集成方案。
2、LPDDR5X子模块采用超低电压架构设计,待机状态电流低至100μA;I/O工作电压更低可降至0.3V(ODT关闭模式),即便在高负载持续运行下仍能有效控温降耗,杜绝热关机风险,大幅延长单次充电使用时长。
3、内置ECC纠错机制与动态坏块管理算法,支持RPMB安全分区存储及FFU在线固件更新功能;同时具备-25℃至+85℃宽温域工作能力,从底层保障关键数据完整性与终端设备全生命周期稳定运行。
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下载4、eMMC支持HS400高速接口模式,理论峰值带宽达400MB/s;LPDDR5X更高传输速率可达8533Mbps,并结合16n/32n位预取结构,显著加快AI模型加载、图像处理及实时响应速度。
佰维基于LPDDR5X 201焊球架构打造的ePOP系列产品,以超紧凑外形、极低功耗、强劲性能与工业级可靠性,精准匹配高端可穿戴设备及主流移动终端的技术诉求,从存储底层全面提升终端交互体验与AI应用效能。

超紧凑体积
显著释放主板空间,支撑AI眼镜、旗舰智能手表等产品的极致轻薄化设计,同时也为超薄智能手机等移动平台预留更多元化的内部堆叠与功能拓展余量。
超低功耗特性
延长单次充电续航时间,降低穿戴设备表面温升,提升用户佩戴舒适性;在移动设备高频任务场景中亦能有效抑制能耗激增,缓解高负载下的电量焦虑。
卓越性能表现
满足AI眼镜复杂视觉识别与语音交互所需的实时算力支撑,实现高端智能手表“秒级启动”,兼顾智能手机多任务切换、4K/8K视频录制等高带宽应用,打造流畅沉浸的AI交互体验。
高可靠品质保障
确保可穿戴设备在日常佩戴、运动震动等复杂工况下稳定运行;增强移动终端抗跌落、耐老化能力,抵御高低温、湿度等环境干扰,筑牢数据安全防线。
佰维坚持“解决方案研发+先进封测制造”双轮驱动的垂直整合模式,不仅可在产品性能指标与物理尺寸方面持续迭代升级,更能快速响应客户差异化定制需求,贯通技术预研、工程验证到量产交付的全链路协作流程。本次ePOP5x的正式发布,既印证了佰维在智能穿戴存储领域的深厚积累与前沿突破,也标志着其为移动智能终端提供了兼具“微尺寸”与“强算力”的新一代嵌入式存储标杆方案。
面向AI穿戴设备加速迈向更轻盈、更自然、更智能的人机交互新阶段,佰维将持续聚焦终端厂商实际需求与终端用户体验,在小型化嵌入式存储方向持续投入核心技术攻关与高价值专利布局,构建覆盖端侧AI全场景的高性能、低功耗、高可靠嵌入式存储产品矩阵,坚定赋能全球智能终端产业高质量创新发展。
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