美光：存储供应短缺之困或将持续至 2028 年

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1 月 12 日消息，据外媒 Wccftech 当地时间 1 月 11 日报道，美光移动与客户端业务部门市场副总裁 Christopher Moore 表示，受晶圆厂建设周期冗长、客户认证流程严苛等多重因素影响，存储芯片供应紧张的局面在2028 年之前难有明显缓解。

该观点与美光当前的长期产能扩张战略高度一致。 *** 息显示，美光位于纽约的之一座晶圆厂预计将于 2030 年正式投产，第二座工厂计划于 2033 年启用，而第四座工厂则规划在 2045 年左右建成。与此同时，其爱达荷州首座晶圆厂预计将在 2027 年启动 DRAM 量产，第二座爱达荷工厂的投产时间有望早于纽约首厂。

Christopher Moore 进一步解释称，新建晶圆厂不仅涵盖厂房建设环节，还需完成严格的客户认证流程，并满足 AI 客户对先进制程与高良率的严苛要求，这些都将显著拉长整体落地节奏。因此，在全部审批及认证工作完成前，爱达荷工厂难以实现大规模量产，真正具备规模效应的产能释放或将延至 2028 年之后。

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Moore 还指出，仅靠新增产线投入，并不足以快速扭转当前存储器短缺局面；另一关键制约在于终端客户对多规格内存模组的差异化需求。例如，当苹果等大客户同步采购 8GB、12GB 和 16GB 等不同容量产品时，产线需频繁调整配置，导致设备利用率下降、整体产出效率受限。

AI 驱动的需求爆发已成为美光战略重心之一。Moore 表示，数据中心与企业级应用市场正加速扩张，其在美光整体存储业务中的营收占比已由原先的 30%–35% 上升至目前的近 50%–60%。据 Tom’s Hardware 报道，美光逐步退出 Crucial 消费级品牌，也印证了其正将更多资源聚焦于企业级 DRAM 与高性能 SSD 领域，以更精准匹配 AI 场景下的增长需求。

另据相关报道，美光亦提到，随着中国本土存储厂商加速推进 DDR5、HBM 等先进内存技术的研发与量产，全球范围内的竞争态势虽趋激烈，但也在客观上倒逼美光持续强化技术研发与制造能力，从而进一步提升客户服务水准并巩固其行业领先地位。