台积电：2nm是12年来首次升级晶体管架构 未来将探索2D、1D材料

1月10日最新消息显示，台积电已于去年底通过官网低调确认，2nm（n2）制程工艺已按计划于2025年第四季度正式量产。这一节点不仅是技术跃迁的关键里程碑，更将成为2026年产能与营收增长的核心引擎。

备受关注的AMD EPYC Venice服务器处理器将率先采用该工艺，成为全球首款商用2nm芯片；紧随其后，苹果iphone 18搭载的A20 SoC、高通骁龙8E6 Pro旗舰移动平台，以及联发科天玑9600等新一代高端芯片，均已明确锁定2nm产线。

为应对爆发式订单需求，台积电正以惊人速度拉升产能——量产初期月产能约3.5万片晶圆，预计到2026年底将跃升至14万片/月，远超此前市场预期的10万片目标，有望在第三季度首次实现单季营收超越3nm与5nm之和。

从技术演进维度看，2nm是台积电成立三十多年来第二次全面重构晶体管物理结构：继2014年16nm节点首次导入FinFET三维晶体管后，N2首次启用全环栅（GAA）纳米片架构，标志着晶体管控制能力迈入全新层级。相较之下，英特尔虽早在2011年即量产22nm FinFET（IVB处理器），但彼时台积电与三星尚停留于28nm平面工艺，技术代差一度达三年半；而今，台积电凭借稳健迭代与规模化落地能力，已成为先进制程最可靠的量产担当。

更值得关注的是，2nm并非终点。台积电已明确下一代1.6nm工艺代号为A16，将在GAA基础上首次集成背面供电 *** （BSPDN），显著优化供电效率与布线密度，尤其适配AI加速器与HPC高性能计算场景；后续1.4nm A14工艺将持续深化GAA堆叠与背面供电协同设计。

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至于1nm及以下节点，行业仍处于探索阶段。CFET（互补场效应晶体管）被普遍视为潜在接棒者，有望突破GAA微缩极限；与此同时，台积电已启动对二维（2D）乃至一维（1D）新型半导体材料的基础研究，试图从材料本征特性层面突破硅基晶体管的物理瓶颈。不过这些方向目前均处于实验室验证期，尚未进入工程化研发阶段，量产时间表与性能指标仍存在高度不确定性。